-초 미세 50나노급 공정 적용한 2기가비트 DDR3 D램 개발
-업계 최초 50나노급 DDR3 D램 사업화로 경쟁 우위 확보

[뉴스핌=김신정 기자] 삼성전자가 세계 최초로 50나노급 공정을 적용한 2기가비트DDR3 D램 개발에 성공해 10월부터 양산할 예정이다.

이에 따라 DDR2 제품이 주를 이루고 있던 고용량 D램 제품 시장을 DDR3제품이 빠른 속도로 대체해 나갈 것으로 전망된다.

50나노 2기가비트 DDR3는 지난해 삼성전자가 개발한 60나노 2기가비트 DDR2 D램의 최대 속도인 800Mbps(초당 800메가비트의 데이터 처리) 대비 약 1.6배인 1.333Gbps(1333Mbps)를 구현했다. 단품 칩의 크기도 작아져 생산 효율도 기존 대비 60% 이상 향상됐다.



삼성은 이번에 개발한 2기가비트 D램 솔루션으로 고용량 DDR3 모듈을 양산할 예정이다. 서버용 8기가바이트(Giga Byte) RDIMM, 워크스테이션 및 데스크탑 PC용 4기가바이트(GB) UDIMM, 노트북용 4기가바이트(GB) SODIMM 등을 제작해 다양한 응용처에 대해 메모리 솔루션 용량 확대를 가속화할 계획이다.

삼성전자는 기존 2기가비트 DDR2 D램과 달리 2기가비트 DDR3는 적층기술 없이 고용량 모듈 제작이 가능해 원가를 절감할 수 있다고 설명했다.

또 2기가바이트 DDR3를 활용하면 공정과 원가 측면 뿐만 아니라 전력 측면에 있어서도 큰 개선이 가능하다고 덧붙였다.

이처럼 2기가비트 DDR3 D램은 기존 DDR2 제품을 생산할 때 보다 생산 기간도 단축돼 원가 경쟁력 우위를 확보할 수 있고 세트 제품에 탑재될 경우 전력 사용과 발열량을 감소시켜 최근 업계의 친 환경 특성 요구에도 더욱 경쟁력있게 대응할 수 있다.

삼성전자는 50나노급 2기가비트 DDR3 D램 출시를 계기로 PC 시장에서 프리미엄 서버 시장에 이르기까지, 향후 수년 이내 D램 시장의 주력 제품이 될 2기가 DDR3 제품군에서 확실한 주도권을 확보할 것으로 기대했다.

삼성전자는 향후 고부가가치 D램 시장을 확대하고, 시장 선점을 통해 경쟁 우위를 지속 유지해 나간다는 방침이다.