-모바일 D램 대량 공급으로 시장 점유율 확대
하이닉스반도체가 차세대 낸드플래시 사업에 공격적인 행보를 보이고 있다.
하이닉스반도체(대표 김종갑, www.hynix.co.kr)는 스위스에 본사를 둔 뉴모닉스와 차세대 낸드플래시 기술 및 제품에 대한 포괄적인 공동 개발 계약을 체결했다고 6일 밝혔다.
앞서 하이닉스는 지난 2003년 4월 뉴모닉스(당시 ST마이크로)와 플래시 메모리에 대한 전략적 제휴 계약을 체결한 바 있다.
이번 계약을 통해 양사는 향후 5년간 플래시 메모리 제품군 확대를 비롯해 신규 제품 설계와 차세대 기술 공동 개발 등을 통해 낸드플래시 사업 경쟁력을 강화할 방침이다.
특히 양사는 휴대폰 시장을 겨냥한 MCP 제품에 사용되는 모바일 D램에 대한 협력도 추진할 계획이다.
이에 따라 하이닉스는 이번 협력을 통해 뉴모닉스의 비휘발성 메모리 기술을 바탕으로 낸드플래시 공정 세대 전환시의 기술적 한계를 극복할 수 있게 됐다.
또한 인텔로부터 뉴모닉스로 흡수된 우수인력을 활용해 소프트웨어와 마이크로 컨트롤러 솔루션 노하우를 공유할 수 있게 됐다.
이에 따라 하이닉스측은 기존 낸드플래시 칩을 단순 실리콘에서 MicroSD, eMMC SSD 등과 같은 복합 시스템으로 향상시켜 복합 솔루션 시장으로의 효과적인 진입과 함께 점유율 확대를 기대하고 있다.
무엇보다도 기존 낸드플래시의 부동 게이트(Floating Gate) 구조를 대체할 것으로 예상되는 CTD (Charge Trap Device) 개발에 있어 뉴모닉스가 보유한 노어플래시 기술을 활용할 수 있게 돼 기술 경쟁력 확보에 도움이 될 것으로 보인다.
김종갑 하이닉스 사장은 "이번 협력을 통해 향후 중요한 분야가 될 것으로 전망되는 소프트웨어와 컨트롤러등 솔루션 제품의 경쟁력을 높여 성공적인 시장에 진입할 수 있을 것으로 기대한다"며 "최고 수준의 기술을 바탕으로 낸드플래시 신기술을 지속적으로 확보하고 다양한 제품을 출시해 향후 낸드플래시 시장을 선도할 것"이라고 말했다.
브라이언 해리슨 뉴모닉스 사장 역시 하이닉스와 차세대 낸드플래시 사업협력에 크게 기대하는 눈치다.
브라이언 해리슨 사장은 "이번 협력을 통해 향후 5년간 낸드플래시 시장을 선도할 수 있는 능력을 확보했다"며 "하이닉스의 효율적인 생산 능력과 시장을 선도하는 메모리 제품의 노하우를 갖출 수 있게 돼 경쟁사보다 한 발 앞서 제품을 출시할 수 있을 것"이라며 기대감을 피력했다.
이와함께 하이닉스와 뉴모닉스는 차세대 낸드플래시 사업협력과는 별개로 모바일 D램과 관련한 의견도 교환했다.
하이닉스는 "이번 협력과는 별도로 하이닉스의 모바일 D램 최대 수요처 중 하나인 뉴모닉스에 대량 공급하게 돼 연내 모바일 D램 시장 점유율을 상당한 수준으로 확대할 수 있게 됐다"고 강조했다.
하이닉스는 지난 4월 66나노 기술을 적용한 세계 최고속 1기가비트 모바일 LPDDR2 (Low Power DDR2) 제품을 개발했으며, 최근에는 저전력 모바일 D램을 비휘발성 메모리와 결합한 저전력 멀티칩 패키지(MCP: Multi-Chip Package) 제품을 생산하는 등 모바일 D램 제품 군을 다수 보유하고 있다.
한편 지난 6월 하이닉스는 대만 낸드플래시 응용제품 업체인 파이슨과 포괄적 협력 계약을 체결하기도 했다.
하이닉스반도체가 차세대 낸드플래시 사업에 공격적인 행보를 보이고 있다.
하이닉스반도체(대표 김종갑, www.hynix.co.kr)는 스위스에 본사를 둔 뉴모닉스와 차세대 낸드플래시 기술 및 제품에 대한 포괄적인 공동 개발 계약을 체결했다고 6일 밝혔다.
앞서 하이닉스는 지난 2003년 4월 뉴모닉스(당시 ST마이크로)와 플래시 메모리에 대한 전략적 제휴 계약을 체결한 바 있다.
이번 계약을 통해 양사는 향후 5년간 플래시 메모리 제품군 확대를 비롯해 신규 제품 설계와 차세대 기술 공동 개발 등을 통해 낸드플래시 사업 경쟁력을 강화할 방침이다.
특히 양사는 휴대폰 시장을 겨냥한 MCP 제품에 사용되는 모바일 D램에 대한 협력도 추진할 계획이다.
이에 따라 하이닉스는 이번 협력을 통해 뉴모닉스의 비휘발성 메모리 기술을 바탕으로 낸드플래시 공정 세대 전환시의 기술적 한계를 극복할 수 있게 됐다.
또한 인텔로부터 뉴모닉스로 흡수된 우수인력을 활용해 소프트웨어와 마이크로 컨트롤러 솔루션 노하우를 공유할 수 있게 됐다.
이에 따라 하이닉스측은 기존 낸드플래시 칩을 단순 실리콘에서 MicroSD, eMMC SSD 등과 같은 복합 시스템으로 향상시켜 복합 솔루션 시장으로의 효과적인 진입과 함께 점유율 확대를 기대하고 있다.
무엇보다도 기존 낸드플래시의 부동 게이트(Floating Gate) 구조를 대체할 것으로 예상되는 CTD (Charge Trap Device) 개발에 있어 뉴모닉스가 보유한 노어플래시 기술을 활용할 수 있게 돼 기술 경쟁력 확보에 도움이 될 것으로 보인다.
김종갑 하이닉스 사장은 "이번 협력을 통해 향후 중요한 분야가 될 것으로 전망되는 소프트웨어와 컨트롤러등 솔루션 제품의 경쟁력을 높여 성공적인 시장에 진입할 수 있을 것으로 기대한다"며 "최고 수준의 기술을 바탕으로 낸드플래시 신기술을 지속적으로 확보하고 다양한 제품을 출시해 향후 낸드플래시 시장을 선도할 것"이라고 말했다.
브라이언 해리슨 뉴모닉스 사장 역시 하이닉스와 차세대 낸드플래시 사업협력에 크게 기대하는 눈치다.
브라이언 해리슨 사장은 "이번 협력을 통해 향후 5년간 낸드플래시 시장을 선도할 수 있는 능력을 확보했다"며 "하이닉스의 효율적인 생산 능력과 시장을 선도하는 메모리 제품의 노하우를 갖출 수 있게 돼 경쟁사보다 한 발 앞서 제품을 출시할 수 있을 것"이라며 기대감을 피력했다.
이와함께 하이닉스와 뉴모닉스는 차세대 낸드플래시 사업협력과는 별개로 모바일 D램과 관련한 의견도 교환했다.
하이닉스는 "이번 협력과는 별도로 하이닉스의 모바일 D램 최대 수요처 중 하나인 뉴모닉스에 대량 공급하게 돼 연내 모바일 D램 시장 점유율을 상당한 수준으로 확대할 수 있게 됐다"고 강조했다.
하이닉스는 지난 4월 66나노 기술을 적용한 세계 최고속 1기가비트 모바일 LPDDR2 (Low Power DDR2) 제품을 개발했으며, 최근에는 저전력 모바일 D램을 비휘발성 메모리와 결합한 저전력 멀티칩 패키지(MCP: Multi-Chip Package) 제품을 생산하는 등 모바일 D램 제품 군을 다수 보유하고 있다.
한편 지난 6월 하이닉스는 대만 낸드플래시 응용제품 업체인 파이슨과 포괄적 협력 계약을 체결하기도 했다.
