다음은 하이닉스 투자보고서 내용입니다.
동사는 3월 21일 공시를 통해 다음 세 가지 사항을 발표했다.
1)특허 계약: 미국 SanDisk사와 반도체 특허 Cross Licence 계약 체결 및 X4(4 bit per cell) NAND Flash 기술의 공동 개발 합의
2)공급 계약: 동사의 메모리 제품을 판매하는 장기공급계약 체결
3)합작법인 설립: 메모리 제품 생산 및 판매를 위한 합작법인 설립 양해각서(MOU) 체결
3월 21일 공시 내용 - 동사의 향후 NAND 사업 전개에 매우 긍정적인 것으로 평가
3월 21일 동사의 공시 내용은 향후 NAND 사업 전개에 매우 긍정적인 것으로 평가된다. 그 이유는
1)특허 관련 Cross License 계약 체결을 통해 SanDisk에 지급해야 되는 Loyalty 금액이 현저히 감소할 것으로 예상된다.
2)4 bit per cell NAND 기술의 공동 개발을 합의함에 따라 그동안 동사가 진행해 오던 4bit per cell 관련 연구가 더욱 원활하게 진행될 것으로 판단된다. 동사는 지난해 SanDisk사에 합병된 M-Systems사와 협력하여 4 bit per cell NAND 기술 개발을 개시하였다. 4 bit per cell NAND 제품은 현재 시장의 주력 제품인 2 bit per cell 제품보다 적어도 30% 이상의 원가 절감이 가능한 것으로 추정된다.
3)동사는 메모리 제품 관련 장기공급계약 체결을 통해 DRAM과 NAND 제품의 안정적 매출처를 추가 확보한 것으로 여겨진다. 이에 따라 DRAM과 NAND Capacity의 운영에 flexibility가 높아진 것으로 판단된다.
4)마지막으로 메모리 제품 생산 및 판매를 위한 합작법인 설립은 4 bit per cell 기술의 개발이 완료되었을 경우 4 bit per cell 제품의 생산과 판매를 담당할 것으로 예상된다. 동사는 초기 투자 비용을 SanDisk사와 분할하여 부담할 수 있고, SanDisk라는 최대 Flash Memory Card 업체를 고객으로 확보함에 따라 관련 사업의 위험을 현저히 축소시킬 수 있을 것으로 전망된다.












