회사측은 "그동안 기존 FAB의 성공적인 리모델링을 통해 확보한 하이닉스만의 고유한 노하우로 300mm M10 FAB에 이어 최단 기간에 최고의 완성도를 갖춘 R&D FAB을 건설했다"며 "본격적인 300mm 연구소 시대를 열었다는 점에서 더욱 의미가 있다"고 설명했다.
하이닉스는 그동안 200mm R&D FAB에서 제품을 개발한 후 300mm FAB에서 생산할 경우 FAB의 공정조건이 서로 달라 제품 개발이 다소 지연되는 어려움을 겪었다. 또 선행 공정기술 개발을 위한 200mm 장비가 지원되지 않아 신제품 개발에 대한 효율성이 떨어진다는 문제점을 보였다.
이번 R3 R&D FAB 개소로 이 같은 비효율적인 요인을 제거할 수 있게 됨에 따라 제품 개발을 보다 신속하게 하는 한편, 50 나노급 이하 D램 및 낸드 플래시 신제품 개발에도 더욱 박차를 가할 수 있게 됐다.
제품 개발 효율성으로 300mm 시장을 선도할 수 있게돼 업계 최고의 원가 경쟁력을 더욱 강화게 됐다는 것이 회사측의 설명.
하이닉스는 지난 1월 R3 FAB 건설을 위해 TFT를 구성했으며, 6월부터 200mm FAB이었던 이천 M6를 개조한 후 3개월만인 8월에 약 8500여 평 규모의 300mm FAB으로 개조해 시험운전 및 안전검사를 완료했다. 9월에는 첫 장비를 입고했으며, 오는 10월에는 첫 연구개발 웨이퍼를 투입할 예정이다.
하이닉스 이천 사업장에서 개최된 R3 개소식 행사에서 우의제 대표는 "R3 개소는 그동안 M10의 눈부신 성장과 중국공장의 성공적인 셋업을 바탕으로, 세계 300mm 시장을 본격적으로 이끌어가는 하이닉스의 큰 걸음이 시작되는 자리"라며 "모든 연구원들이 혼신의 노력을 쏟아준다면 하이닉스의 미래를 책임질 최고의 신제품들을 개발할 수 있을 것"이라고 말했다.
한편 하이닉스는 STMicro사와 합작으로 건설한 중국공장에 대한 준공식을 본격적인 300mm 웨이퍼 양산 시점에 맞춰 오는 10월10일에 중국 강소성 무석시에 가질 계획이다.
향후 중국공장의 양산으로 하이닉스는 한국과 미국(유진공장), 중국을 연결하는 글로벌 생산체제를 구축해 상계관세 등 통상문제의 원천적 해결, 300mm 웨이퍼 생산시설 확충, 중국시장에서 경쟁우위 유지 등 장기적인 성장 기반을 확고히 마련할 것으로 기대하고 있다.












