纽斯频通讯社首尔2月6日电 有消息称,韩国三星电子为扩大第6代高带宽存储器(HBM)生产能力,将在平泽园区新建一条DRAM生产线。

据业界5日消息,三星电子已制定战略,将在平泽园区第四工厂(P4)内于明年第一季度前建成10纳米第6代(1c)DRAM生产线。该生产线规模可达月产10万至12万片晶圆。
1c DRAM是将被应用于HBM4的最先进DRAM产品。HBM4将搭载共12颗1c DRAM。三星电子计划今年向英伟达、AMD等科技企业供应HBM4,本月内将启动量产供货。
此次投资被认为在DRAM和NAND闪存等存储半导体价格飙升的背景下,旨在快速扩大生产能力以应对需求的战略。
据市场调查机构Counterpoint Research预测,今年第1季度存储芯片价格将较前一季度上涨80%至90%。(完)
韩国纽斯频(NEWSPIM·뉴스핌)通讯社












