[뉴스핌=황세준 김겨레 기자] 삼성과 SK가 낸드플래시 메모리 반도체 증설을 통해 스마트폰 등 수요에 적극 대응하고 있다.

SK하이닉스는 낸드플래시 수요 확대에 대응하기 위해 청주 산업단지 테크노폴리스 내 23만4000제곱미터(㎡)부지에 반도체 공장을 짓는다고 22일 밝혔다.

회사측에 따르면 다음 달 설계를 착수하고 2017년 8월부터 2019년 6월까지 2조2000억원을 투자해 반도체 공장 건물과 클린룸을 건설한다.

2조3800억원이 투입된 이천공장 M14팹 규모의 공장을 청주에 하나 더 건설하는 셈이다. M14팹에서는 낸드플래시의 원재료인 웨이퍼를 최대 월 20만장 규모로 생산 가능하다.

SK하이닉스는 낸드플래시 중 차세대 제품인 3D낸드의 생산능력을 일단 연말까지 월 2만~3만장 규모로 확보하고 내년에는 전체 낸드의 50%를 3D낸드로 채운다는 계획이다.

삼성전자도 내년 화성 17라인 2단계 공장과 평택공장 증설라인 가동을 통해 낸드플래시 생산량을 늘릴 예정이다. 삼성전자는 올해 4분기에만 12조3000억원의 투자금을 집행할 것으로 알려졌다.

특히 평택공장은 3D 낸드플래시만 총 8만장 캐파로 운영할 것으로 전해졌다. 평택공장은 외관공사가 마무리 단계로 내년 클린룸 공사에 이어 노광(포토공정)·증착·세정 등 반도체 제조장비가 입고될 예정이다.

HMC투자증권은 내년 삼성전자와 SK하이닉스의 반도체 관련 투자금액이 올해 대비 약 15.2% 증가할 것이라고 분석했다.

낸드플래시는 전원을 끊어도 저장된 내용이 보존되는 반도체로 USB 메모리카드와 스마트폰이 대표적인 낸드플래시 사용 제품이다.

과거 USB 메모리카드, MP3 플레이어, PMP 등이 낸드플래시 메모리의 주요 수요처였으나 최근에는 스마트폰, 태블릿 PC 등의 모바일 분야에서 멀티미디어 기능의 확대에 따른 채용량 증가로 낸드플래시 메모리에 대한 수요가 증가하고 있다.

3D낸드는 반도체 셀을 층층이 쌓아올려 저장용량을 늘리는 기술을 말한다. 현재 48단으로 쌓는 게 최신 기술로 삼성전자가 전 세계에서 유일하게 이 수준에 도달해 있다. 삼성전자는 2014년 8월 32단, 2015년 8월 48단 제품 양산을 시작했다.

삼성전자는 4세대(64단) 3D낸드를 내년에 본격 램프업(정상가동)한다. 4세대 낸드플래시 제품은 3세대(48단) 제품 대비 적층 단수를 30% 높여 고용량, 초소형, 고성능 저장장치(SSD)를 만들 수 있다. 또 3D낸드플래시는 단수가 높을수록 원가가 줄어든다.

삼성전자는 3D 낸드플래시 기술 리더십을 바탕으로 3분기 글로벌 시장점유율 36.6%로 1위를 차지했고 연말에는 15년 연속 1위를 달성할 전망이다.

SK하이닉스는 48단(3세대) 3D낸드 제품을 연내 판매하고 내년 상반기에는 4세대(72단) 제품 개발을 완료해 하반기부터 본격적으로 양산을시작할 방침이다. 48단 3D낸드는 전량 모바일쪽으로 공급할 계획이다.

시장조사기관 D램익스체인지 집계결과 SK하이닉스는 지난 3분기 낸드플래시 시장에서 점유율 10.4%(매출기준)로 미국 마이크론을 추월해 4위다. 업계는 하이닉스의 대규모 증설투자가 점유율 상승으로 이어질지 주목하고 있다.

SK하이닉스로서는 현재 2년 정도 벌어져 있는 삼성전자와의 격차를 얼마만큼 빠르게 따라잡을지가 관건이다. 글로별 경쟁사들도 증설에 나서고 있어 더 그렇다.

글로벌 2위(19.8%)인 일본 도시바는 시가현 요카이치에 3D낸드 공장을 증설한다. 내년 2월 팹(반도체공장) 착공할 계획이다. 이 회사는 낸드플래시 업계 3위(17.1%)인 미국 웨스턴디지털(WD)과의 협업에도 나선다. 

[뉴스핌 Newspim] 황세준 기자 (hsj@newspim.com)