- 40나노급 고용량 모바일 LPDDR2 개발
- 1.2V 저전압 동작·저전력소비·1066Mbps 구현
- 스마트북, 태블릿 PC 등 차세대 APP 최적화



[뉴스핌=신동진 기자] 하이닉스반도체가 40나노급 2기가비트 모바일 D램 개발에 성공했다.

하이닉스반도체(대표 김종갑)는 세계 최초로 40나노급 기술을 적용해 모바일 D램 제품인 2기가비트(Gb) LPDDR2(Low Power DDR2)를 개발했다고 13일 밝혔다.

이 제품은 세계 최초로 40나노급 초미세 공정이 적용된 2기가비트 고용량으로, 모바일 제품 중 최저전압인 1.2V로 동작이 가능하다.

특히 전력 소비가 기존 모바일 제품인 LPDDR의 50% 수준, PC DDR2 제품의 30% 수준에 불과해 장시간 사용하는 휴대전화, 디지털 카메라, MP3 플레이어, 네비게이션 등의 제품에 적합하다.

또 최대 1066Mbps의 데이터 전송 속도를 구현할 수 있어 32개의 정보입출구(I/O)를 통해 싱글 채널(Single Channel)의 경우 초당 최대 4.26기가바이트(GB), 듀얼 채널(Dual Channel)의 경우 8.52기가바이트의 데이터를 처리할 수 있다. 이는 보통 영화 5~6편을 1초에 다운받을 수 있는 수준이다.

국제반도체표준협의 기구(JEDEC) 규격을 만족시키는 이 제품은 스마트폰(Smartphone)과 스마트북 (Smartbook), 태블릿 PC(Tablet PC) 등의 다양한 차세대 애플리케이션을 지원한다.

하이닉스는 이 제품을 올 상반기부터 양산할 예정이다.

시장 조사기관인 아이서플라이(iSuppli)는 모바일 D램 시장이 2009년부터 2013년 까지 연평균 32.3%씩 급성장할 것으로 전망하고 있다. 휴대전화의 모바일 D램 채용률 또한 2009년 66% 수준에서 2012년 80%까지 성장할 것으로 보고 있다.

이에 따라 하이닉스는 범용 D램의 생산을 최소화하고 모바일 D램 등 고부가가치 제품의 생산을 증가시키고 있다.

올해 전세계 모바일 D램 시장점유율 30% 이상 달성을 목표로 하고 있는 하이닉스는 고용량화∙저전력화∙고속화∙소형화로 급변하고 있는 모바일 시장을 선도해 나간다는 방침이다.

한편, 하이닉스는 지난해 세계 최초로 50나노급 2기가비트 LPDDR과 초고속 1기가비트 LPDDR2 등 고사양의 모바일 D램 제품을 연달아 출시한 바 있으며, 지속적으로 모바일 사업을 강화해 다양한 제품군을 확보해왔다.