[서울=뉴스핌] 서영욱 기자 = SK하이닉스가 오는 2029년 3분기 미국 인디애나 공장에서 차세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM4E 양산에 나선다.

한국에서 생산한 HBM 웨이퍼를 미국에서 첨단 패키징·테스트해 현지 고객에게 공급하는 방식으로, SK하이닉스의 첫 '메이드 인 USA' HBM이 탄생하게 된다.

곽노정 SK하이닉스 사장은 27일(현지시간) 미국 인디애나주 웨스트라피엣에서 열린 첨단 패키징 공장 기공식에서 "2029년 3분기부터 차세대 HBM4E의 양산을 시작할 계획"이라며 "연간 생산능력은 웨이퍼 기준 수십만장에 이를 것으로 예상한다"고 밝혔다.

곽 사장이 인디애나 공장에서 생산할 제품과 양산 시점, 생산능력을 구체적으로 밝힌 것은 이번이 처음이다.

SK하이닉스는 HBM4E를 내년부터 본격 양산할 계획으로, 이후 인디애나 공장이 가동되면 미국 현지에서도 HBM4E를 생산하게 된다. 회사는 앞서 HBM4E의 고객 대상 샘플 공급을 완료하고 내년 본격 양산을 목표로 개발을 진행하고 있다고 밝힌 바 있다.

인디애나 공장은 D램 웨이퍼를 직접 생산하는 전공정 팹이 아니라 한국에서 생산한 HBM 웨이퍼를 가져와 첨단 패키징하는 생산기지다.

곽 사장은 "고객들에게 새로운 '메이드 인 USA HBM' 공급원을 제공하면서 미국 반도체 공급망을 강화하고 국가·경제 안보에 기여할 것"이라고 말했다.

그는 2030년 가동 모습을 직접 제시하며 한미 생산체계도 구체화했다. 곽 사장은 "한국에서 생산된 첨단 HBM 웨이퍼가 이곳으로 와 첨단 패키징과 테스트를 거친 뒤 미국 고객들에게 공급될 것"이라며 "완전히 통합된 한미 생산 시스템이 가동될 것"이라고 설명했다.

공장 건설은 이미 기초공사에 들어갔다. SK하이닉스는 오는 10월 주요 시설 건설을 시작해 2028년 10월까지 클린룸을 완성하고 2029년 하반기 본격적인 차세대 HBM 양산에 나설 계획이다.

곽 사장은 "2030년이면 인디애나는 미국의 핵심 HBM 생산기지가 될 것"이라고 강조했다.

첨단 패키징 R&D센터도 함께 들어선다. 곽 사장은 "AI 시대에는 최고의 메모리를 만드는 것만으로 충분하지 않다"며 "고객의 AI 시스템에 맞는 맞춤형 메모리 솔루션을 개발하고 첨단 패키징을 통해 메모리와 AI 칩, 전체 시스템의 성능을 극대화해야 한다"고 말했다.

현지 공급망 구축에도 나선다. SK하이닉스는 현재 소재·부품·장비 분야 100개 이상의 파트너 기업과 현지 공급망 구축을 협의하고 있다. 공장 건설과 운영, 협력업체 등을 합쳐 약 7000개의 직·간접 일자리 창출도 예상한다.

곽 사장은 "이번 투자를 통해 미국에 첨단 메모리 공급망을 구축하고 기술과 인재, 산업이 함께 발전하는 미국 AI 메모리 생태계를 만들겠다"며 "미국 AI 산업의 미래를 구축하는 데 가장 신뢰받는 파트너가 되겠다"고 말했다.

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