삼성전자가 세계 최초로 50나노 1Gb DDR2 D램을 개발했다.

삼성전자는 지난 9월 신개념 CTF 기술을 적용한 세계 최대 용량 40나노 32기가 낸드플래시 개발 성공에 이어 최첨단 '3차원 입체 트랜지스터' 신기술 및 '복합 유전층' 신물질을 적용해 세계 최초로 50나노 1기가 DDR2 D램 개발에 성공했다고 19일 밝혔다.

삼성전자는 이로써 지난 2000년 150나노 기술부터 올해 50나노 기술까지 8세대 연속으로 세계 최초 D램 신공정 개발에 성공했다.

이번에 개발된 50나노 기술은 초고속 동작은 물론 저소비 전력 특성이 강화된 설계 기술로, 대용량 PC용 D램, 초고속 동작이 요구되는 그래픽 D램, 저전력과 대용량이 동시에 요구되는 모바일 D램 등 모든 D램에 확대 적용이 가능하다.

이번 개발로 개발 측면에서는 경쟁사와의 격차를 1년 이상 확대할 전망이며, 양산 측면에서도 본격 양산이 예상되는 오는 2008년부터 독보적 수익성을 유지할 수 있는 기반을 확보했다는 것이 삼성전자의 설명.

삼성전자는 이번 50나노 D램 제품을 오는 2008년 1분기에 출시할 예정이며, 50나노급 D램의 시장 창출 규모는 도입기인 2008년 50억 달러를 시작으로 2011년까지 누계로는 550억 달러에 육박할 것으로 예상했다.