[서울=뉴스핌] 서영욱 기자 = 엔비디아의 설계 변경으로 6세대 고대역폭메모리(HBM4) 양산 일정이 올 1분기 말 이후로 늦춰질 것이란 분석이 나왔다. '메모리 3사'가 모두 추가 시간을 확보한 가운데 현재로선 삼성전자가 가장 먼저 품질 검증(퀄 테스트르)를 통과할 가능성이 크다는 관측이 나온다.

◆엔비디아 설계 변경에 HBM4 양산 '속도 조절'
9일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 모든 공급업체의 HBM4 대량 생산이 올 1분기 말에서 2분기 초 사이에 시작될 가능성이 높다고 내다봤다.

올 1분기 내 양산이 가능할 것이란 일각의 전망보다는 다소 지연될 것이란 관측이다. 이유는 엔비디아의 설계 변경와 제품 전략 변화다.

엔비디아는 지난해 3분기 루빈(Rubin) 플랫폼용 HBM4 사양을 수정하면서 주요 HBM 공급사 3곳이 설계 변경에 나섰다.

엔비디아는 HBM4의 핀당 전송 속도 요구치를 11Gbps(1초에 110억 비트를 전송) 이상으로 높였다.

트렌드포스에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론은 모두 강화된 요구 조건에 맞춰 설계를 보완해 수정된 HBM4 샘플을 엔비디아에 재제출한 상태다.

여기에 AI 수요 확산으로 루빈의 이전 세대인 블랙웰 제품 수요가 예상보다 강하게 이어지면서, 엔비디아가 루빈 양산 일정을 조정한 점도 영향을 미쳤다.

엔비디아는 현재 블랙웰 계열 B300과 GB300의 출하 목표를 상향 조정하고, 이에 맞춰 5세대 제품인 HBM3E 주문도 늘린 상태다.

트렌드포스는 "엔비디아의 제품 전략 변화가 HBM4 인증 속도에 영향을 미치는 주요 요인"이라며 "HBM 공급업체들은 HBM4 제품을 더욱 세밀하게 조정할 수 있는 추가 시간을 확보했다"고 설명했다.

◆"삼성전자, 엔비디아 퀄 테스트 가장 먼저 통과...점유율은 SK하이닉스"
이에 따라 단기적으로는 HBM3E가 시장을 주도하는 가운데, HBM4를 둘러싼 기술·공급 경쟁은 이어질 전망이다.

트렌드포스는 이 같은 상황에서 삼성전자가 HBM4 품질 검증을 가장 먼저 통과할 가능성이 크다고 내다봤다.

HBM4는 초고속 동작 특성상 발열 관리가 핵심 과제로 꼽힌다.

삼성전자는 HBM4에 10나노급 6세대(1c) 공정과 4나노 로직 공정을 적용해 속도와 전력 효율을 동시에 개선했다는 평가를 받고 있다.

1c 공정은 집적도와 전력 효율을 높여 고속 신호 처리에 유리하고, 4나노 로직 공정은 베이스 다이의 신호 처리 성능을 개선해 발열을 낮춘다.

트렌드포스는 이 같은 공정 조합이 고속 구동 환경에서도 안정성을 확보하는 데 유리해, 삼성전자가 HBM4 인증에서 경쟁사보다 앞설 가능성이 있다고 설명했다.

앞서 삼성전자는 지난해 10월 엔비디아와의 협력 발표 당시 "HBM4는 이미 11Gbps 이상의 속도를 구현해 양산을 준비하고 있다"고 밝힌 바 있다.

송명섭 IM증권 연구원도 이날 "삼성전자는 1c 나노 공정 채택으로 업계 최고 수준의 속도를 구현한 HBM4를 확보했다"며 "최대 고객을 대상으로 한 출하가 올 1분기 말부터 순조롭게 시작될 것"이라고 말했다.

이어 "이는 HBM 생산 업체 가운데 가장 빠른 진행으로, 삼성전자의 HBM 경쟁력이 사실상 회복됐음을 보여준다"고 평가했다.

다만 공급 물량 기준의 경쟁 구도는 다르다는 분석이다. 트렌드포스는 SK하이닉스가 엔비디아와 이미 HBM 공급 계약을 확보한 상태로, 올해 전체 HBM 공급 비트 기준 점유율에서는 여전히 우위를 유지할 것으로 전망했다.

SK하이닉스는 업계 최초로 HBM4 양산 체계를 구축한 데다, HBM 시장의 지배적인 공급자로 평가받고 있다.

미국 라스베이거스에서 열리고 있는 국제전자제품박람회(CES 2026)에서는 HBM4 16단 48GB 제품을 업계 최초로 공개했다. HBM4 12단 36GB 제품은 11.7Gbps 속도를 구현했다고 강조했다.

골드만삭스는 "최소 올해까지 SK하이닉스가 HBM3E와 HBM4 분야에서 지배적인 위치를 유지하며 전체 HBM 시장 점유율 50% 이상을 이어갈 것"이라고 분석하기도 했다.

syu@newspim.com