[세종=뉴스핌] 이태성 기자 = 미국 상무부가 반도체과학법상 인센티브 프로그램 중 3억달러 이상 대규모 소재‧장비 제조시설 및 웨이퍼 제조시설 투자에 대한 재정 인센티브의 세부 지원 계획을 공고했다.

산업통상자원부는 23일 이 같은 내용을 전하며 상무부가 이번에 발표한 세부 지원계획은 지난 2월 발표한 세부 지원계획과 동일한 지원 기준을 담고 있다고 밝혔다.

지난해 8월 발효된 미국의 반도체과학법(CHIPS and Science Act)은 반도체 산업에 대한 재정지원 527억달러와 투자세액공제 25% 등을 규정하고 있다.

반도체과학법에 따라 상무부에서 운영하는 재정 인센티브는 ▲반도체 제조시설 ▲반도체 소재‧장비 제조시설 ▲R&D 시설 투자에 대한 지원으로 구성돼 있다.

이번 공고는 지난 2월 발표한 반도체 제조시설 투자에 대한 세부 지원계획에 이어서 두 번째로 발표된 세부 지원계획이다.

공고에 따라 보조금 수령 규모가 1억5000만달러 미만인 경우에는 초과이익 공유 및 보육프로그램 마련 등이 적용되지 않는다.

3억달러 미만의 소재‧장비 소규모 제조시설 및 R&D 시설에 대한 지원 기준은 추후 발표될 예정이다.

반도체법에 따른 재정 인센티브를 수령할 의향이 있는 소재‧장비기업(웨이퍼 제조기업 포함)은 이번 공고상의 혜택과 조건 등을 종합적으로 고려해 10월 23일부터 신청하면 된다.

이후 재정 인센티브 지원 여부와 규모를 미국 정부와 협의하게 되며 9월 1일부터 사전신청도 가능하다. 사전신청은 선택사항이다. 인센티브 수혜 기업은 투자액의 5~15%의 직접 지원을 받게 된다.

정부 관계자는 "이번에 발표된 세부 지원계획이 업계에 미치는 구체적인 영향을 업계와 긴밀히 논의해 미국 정부와의 협의 등을 지원해 나갈 계획"이라고 전했다.

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