[서울=뉴스핌] 이홍규 기자 = 테슬라의 일론 머스크 최고경영자(CEO)가 간밤 중국 메모리 반도체 업체 창신메모리테크놀로지(CXMT, 688825)의 서버용 D램 기술 발표로 메모리 반도체주 매도세가 이어지던 와중에 중국의 추격 속도를 경고하고 나섰다. 경고 근거로는 중국의 대량생산 역량을 들었다. 고마진 인공지능(AI) 서버용 메모리 시장에 중국 업체가 진입할 수 있다는 투자자 우려도 함께 커졌다.

머스크 CEO는 12일(현지시간) 소셜미디어 X에 올린 글에서 "중국이 제품 제조법을 터득하면 대량생산 능력이 세계 나머지 지역을 합친 것보다 큰 경우가 많다"며 리튬배터리와 태양광을 사례로 들었다. 두 산업은 중국 업체들이 기술 확보 뒤 공급 물량을 빠르게 늘려 세계 시장 대부분을 차지한 분야로 알려져 있다. 머스크 CEO는 메모리가 같은 경로를 밟을 수 있다고 내다봤다.

머스크 CEO는 D램도 중국의 대량생산 경쟁에서 예외가 되기 어려울 수 있다고 봤다. D램은 3년 전만 해도 저마진 범용 상품이었다는 게 그의 설명이다. 범용 상품은 표준 규격에 맞춰 생산돼 제조사 간 대체가 가능하다. 모바일용 D램인 LPDDR5·LPDDR6도 표준 규격이어서 생산 기술만 갖추면 원가와 물량으로 경쟁할 수 있다. 머스크 CEO는 중국이 관련 기술을 빠르게 확보하고 있다고 판단했다.

중국의 추격 대상은 모바일용을 넘어 서버용 메모리로 넓어지고 있다. 차오칸위 CXMT 사장은 지난 주말 업계 행사에서 4F² 셀 구조 개발에 진전을 이뤘다고 밝히고 올해 말까지 해당 구조를 적용한 서버용 DDR5 메모리를 내놓겠다고 발표했다. 4F²는 기존 6F²보다 셀 면적이 작아 같은 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있다.

셀 면적 축소는 단위 원가 하락으로 이어질 수 있다. 원가를 낮춘 중국산 서버용 D램이 대량으로 공급되면 미국·한국 업체가 주도해 온 AI 서버용 메모리 시장의 이익률이 낮아질 수 있다는 게 투자자들의 계산이다. 필라델피아 반도체주가지수는 3%가량 하락해 3주 만에 최저치를 기록했다. 마이크론테크놀로지(MU)는 약 4%, 샌디스크(SNDK)는 6% 가까이, SK하이닉스 ADR(미국예탁증권, SKHY)은 4% 내렸다.

다만 머스크 CEO는 연산용 칩과 결합하는 첨단 메모리는 중국이 따라잡기 더 어렵다고 봤다. AI 연산 성능은 칩과 메모리 사이 데이터 전송 속도에 좌우돼 업계는 메모리를 연산용 칩에 최대한 가깝게 두고 있다. D램을 수직 적층해 칩 옆에 붙인 HBM(고대역폭메모리)이 대표적이다. 그는 차세대 HBM과 연산용 칩 내부 고속 메모리인 SRAM(정적 램)을 별도 층으로 떼어 칩 아래에 두는 설계를 난제로 꼽았다.

머스크 CEO는 D램을 쌓으면서 칩의 냉각 방법을 찾는 과제도 해결이 쉽지 않다고 덧붙였다. 칩을 겹치면 아래쪽 연산용 칩의 열을 외부로 빼내기 어려워지기 때문이다. 첨단 메모리는 표준 규격을 따르는 범용 D램과 달리 설계와 패키징 역량이 경쟁력을 가르는 것으로 평가된다. 중국의 위협이 범용 D램에 집중되고 첨단 제품에서는 기존 업체의 기술 우위가 당분간 유지될 수 있다는 것이 그의 진단으로 풀이된다.

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