[이천=뉴스핌] 김지나 기자 = SK하이닉스가 HBM3E 12단에 대해 3월 양산을 시작하고, 고객 요구 시점에 맞춰 제품을 공급할 계획이라고 밝혔다. 2016년부터 올해까지 HBM(고대역폭메모리) 누적 매출은 130억에서 170억 달러 수준으로 예상했다.

2일 SK하이닉스는 경기도 이천 본사에서 'AI시대, SK하이닉스 비전과 전략'을 주제로 내외신 기자간담회를 열고 AI 메모리 기술력 및 시장현황, 청주·용인·미국 등 미래 주요 생산거점 관련 투자 계획을 밝혔다.

이날 행사에는 곽노정 대표이사 사장과 함께 김주선 사장(AI Infra 담당), 김종환 부사장(D램개발 담당), 안현 부사장(N-S Committee 담당), 김영식 부사장(제조·기술 담당), 최우진 부사장(P&T 담당), 류병훈 부사장(미래전략 담당), 김우현 부사장(CFO·최고재무책임자) 등 주요 경영진이 참석했다.

이 자리에서 HBM3E 12단 양산에 대해 곽노정 사장은 "현재 당사 HBM은 생산 측면에서 올해 이미 솔드아웃(Sold-out·완판)인데, 내년 역시 거의 솔드아웃 됐다"면서 "HBM 의 세계 최고 성능 HBM3E 12단 제품의 샘플을 5월에 제공하고, 3분기 양산 가능하도록 준비하고 있다"고 밝혔다.

SK하이닉스는 지난 3월 세계 최초로 HBM3E 양산에 돌입해 고객사에 납품하기 시작했다. 이를 통해 SK하이닉스는 HBM 시장에서 시장 주도권을 확대해 나가고 있다. 이에 지난달 30일 삼성전자는 HBM3E 12단 제품을 2분기부터 양산할 계획을 밝혔다. HBM3E 12단의 앞선 양산을 통해 시장 주도권을 가져오겠다는 전략이다.

SK하이닉스 제품 경쟁력으로 강조하는 것은 HBM 핵심 패키징 기줄 중 하나인 'MR-MUF(어드밴스드 매스리플로우-몰디드언더필)' 기술이다. 이 기술은 D램을 쌓은 뒤 각 반도체 사이 공간에 회로를 보호하기 위한 액체 형태의 보호제를 주입하고 굳히는 공정이다.

최우진 부사장 (P&T 담당)은 "우리는 'MR-MUF' 기술로 이미 HBM3 12단 제품을 양산하고 있다"면서 "이 기술은 과거 공정 대비 칩 적층 압력을 6% 수준까지 낮추고 공정 시간을 줄여 생산성을 4배로 높이며, 열 방출도 45% 향상시킨다"고 설명했다.

향후 발생할 수 있는 HBM 시장의 제품 공급 과잉 우려에 대해서 곽노정 사장은 "HBM 시장은 여전히 AI 성능 향상 등으로 성장이 계속될 것으로 전망되고 중장기적으로 연평균 60% 수요 성장이 있을 것으로 생각된다"면서 "HBM4 이후가 되면 커스터마이징 니즈가 증가하며 점점 더 수주형 비즈니스 성격으로 옮겨가 공급에 대한 리스크는 줄어들 것으로 생각된다"고 내다봤다.

최근 20조원의 투자를 발표한 청주 'M15x' 투자 배경과 계획에 대해선 내년 11월 준공 이후 2026년 3분기부터 본격적인 양산에 들어갈 계획을 밝혔다. SK하이닉스가 팹 건설에 투자하겠다고 밝힌 투자액은 5조 3000억원이다.

김영식 부사장(제조기술 담당)은 "AI메모리 수요에 대응하기 위해 용인 반도체 클러스터 첫 팹 가동 전에 캐파 확대가 필요했다"면서 "M15x는 EUV(극자외선)를 포함한 HBM 일괄 생산 공정을 갖출 예정이며 TSV(실리콘관통전극) 캐파 확장 중인 M15와 인접해 있어 HBM 생산 효율을 극대화 할 수 있다"고 기대했다.

HBM 중심으로 막대한 투자계획이 발표된 상황에 투자금을 위한 자금 조달 방안에 대해선 김우현 CFO(최고재무책임자)는 "시장 전망으로 봤을 때 시황 개선에 따라 캐시가 증가할 것이고, 필수 투자에 대해선 영업 현금 흐름으로 대응이 가능하다고 판단된다"면서 "중장기적으로 투자는 자금의 현금 창출 수준과 재무 건정성 등의 균형을 고려해 자금 조달을 진행할 수 있을 것"이라고 말했다.

한편 이날 HBM 시장에서 SK하이닉스와 경쟁하고 있는 삼성전자는 기고문을 통해 2016년부터 2024년까지 예상되는 총 HBM 매출은 100억 달러가 넘을 것으로 전망된다고 밝혔다. 이와 관련해 곽노정 사장은 같은 기간 HBM 예상 매출액에 대해 "백 수십억 달러 중반 정도될 것"이라고 밝혔다. 

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