[서울=뉴스핌] 이지용 기자 = 삼성전자는 세계 정상급 학술지인 'Advanced Materials(어드밴스드 머트리얼즈)'에 플래시 메모리 저장원리에 대한 논문을 게재했다고 14일 밝혔다.

삼성전자 혁신센터 CSE팀은 기존과 차별화된 접근 방식을 통해 플래시 메모리 정보 저장의 핵심 역할을 하는 비정질 실리콘 질화물에서 전자가 안정되게 저장되는 근본 원리를 밝혀내는 데 성공했다. 삼성전자 혁신센터 CSE팀은 슈퍼컴퓨터와 같은 고성능 컴퓨터를 활용해 반도체의 공정, 메모리를 비롯한 다양한 소자의 전기적 특성, 소재의 다양한 특성을 시뮬레이션하는 부서다.

이에 CSE팀이 집필한 '플래시 메모리 저장원리에 대한 논문'은 우수성을 인정받아 재료공학 분야의 세계 정상급 학술지인 Advanced Materials에 올랐다.

CSE팀은 기존과 차별화된 접근 방식을 통해 플래시 메모리 정보 저장의 핵심 역할을 하는 비정질 실리콘 질화물에서 전자가 안정되게 저장되는 근본 원리를 밝혀냈다. 플래시 메모리는 스마트폰 등 전자기기의 전원이 끊겨도 데이터를 보존해준다.

삼성전자는 이번 연구로 그 동안 간과했던 원자수준에서의 작동 원리를 밝혀냈다는데 연구 의의가 있는 것으로 보고 있다. 당초 플래시 메모리가 활용하는 물질은 원자들이 무질서하게 배열된 비정질 특성이 있어 특징을 밝혀내기 어려웠기 때문이다. 원자 수준에서는 플래시 메모리의 근본적인 저장 메커니즘에 대해서는 최근까지도 논쟁과 연구가 지속되는 분야였다.

특히 삼성전자가 최초로 개발한 V낸드가 세대를 거듭할수록 크기가 작아지면서 이번 연구가 중요한 역할을 할 전망이다. 원자 수준에서 발생하는 현상에 대한 근본적인 이해 없이 혁신을 이뤄내기 어렵기 때문이다.

CSE팀은 "V낸드의 혁신은 더 저렴한 가격에 데이터를 저장할 수 있다는 걸 의미한다"며 "다른 주변 기술과 점진적인 시너지를 일으켜 인공지능(AI)과 같은 핵심 기술의 진보를 앞당길 것이라 생각한다"고 밝혔다.

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