[서울=뉴스핌] 이지용 기자 = SK하이닉스가 올해 3분기 1조7920억원의 영업손실을 내며 4개 분기 연속 적자를 이어갔다. 다만 SK하이닉스는 올해 2분기보다 적자 폭을 줄여 실적을 개선하고 있다. 

SK하이닉스는 올해 3분기 매출액 9조662억원, 영업손실 1조7920억원을 기록했다고 26일 밝혔다. 단, SK하이닉스는 올해 2분기의 영업손실(2조8820억원)보다 적자 폭을 줄여 실적을 개선하고 있다. 

SK하이닉스의 올해 3분기 매출은 전년 동기(10조9829억원) 대비 17.5% 줄었다. 전년 동기 영업이익은 1조6605억원이었다.

지난 2분기의 매출(7조3059억원)과 영업손실(2조8820억원)에 비해서는 각각 24.1%, 37.8% 개선됐다.

SK하이닉스는 인공지능(AI) 용 메모리 HBM3(고대역폭메모리3), 고용량 DDR5와 함께 고성능 모바일 D램 등 주력 제품들의 판매가 호조를 보이면서 실적을 개선한 것으로 나타났다. 특히 올해 1분기 적자로 돌아섰던 D램이 2개 분기 만에 흑자 전환한 데 의미를 뒀다.  

회사측은 "고성능 메모리 제품을 중심으로 시장 수요가 증가하면서 경영 실적은 지난 1분기를 저점으로 지속적으로 개선되고 있다"고 밝혔다.

매출 증가 추세에 대해 SK하이닉스는 D램과 낸드플래시 모두 판매량이 늘어나고, D램 평균판매가격(ASP) 상승이 큰 영향을 미쳤다고 분석했다.

제품별로 보면 D램은 AI 등 고성능 서버용 제품 판매 호조에 2분기 대비 출하량이 약 20% 늘어났다. ASP는 약 10% 상승했다. 낸드도 고용량 모바일 제품과 SSD(Solid State Drive)를 중심으로 출하량이 늘었다.

흑자로 돌아선 D램은 생성형 AI 붐과 함께 시황이 지속해서 호전될 전망이다. 적자가 이어지고 있는 낸드도 시황이 나아지는 조짐이 서서히 나타나고 있다.

실제로 올 하반기 메모리 공급사들의 감산 효과가 가시화되는 가운데 재고가 줄어든 고객 중심으로 메모리 구매 수요가 창출되고 있으며 제품 가격도 안정세에 접어들고 있다.

이 같은 흐름에 맞춰 SK하이닉스는 HBM과 DDR5, LPDDR5 등 고부가 주력제품에 대한 투자를 늘리기로 했다. D램 10나노 4세대(1a)와 5세대(1b) 중심으로 공정을 전환하고, HBM과 TSV에 대한 투자를 확대한다는 계획이다.

TSV는 D램 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 어드밴스드 패키징 기술이다.

김우현 SK하이닉스 부사장(CFO)은 "고성능 메모리 시장을 선도하면서 미래 AI 인프라의 핵심이 될 회사로 탄탄하게 자리매김하고 있다"고 말했다.

그러면서 "앞으로 HBM, DDR5 등 당사가 글로벌 수위(首位)를 점한 제품들을 통해 기존과는 다른 새로운 시장을 창출해낼 것이며, 고성능 프리미엄 메모리 1등 공급자로서의 입지를 지속 강화해 나가겠다"고 강조했다.

leeiy5222@newspim.com