[평택=뉴스핌] 김지나 기자 = 7일 삼성전자 평택캠퍼스 P1공장. 지난 5월 조 바이든 대통령이 방한 했을 때 가장 먼저 찾아 윤석열 대통령과 함께 둘러본 공장이기도 하다. P1 공장 내부에는 천장에 레일을 타고 자동운송장치(OHT)가 웨이퍼24장을 품고 부지런히 움직이고 있다.

OHT가 빠른 속도로 이동하다 교차로에서 다른 OHT와 마주치면 자동 센서가 이를 감지해 속도를 저절로 줄인다. 잠실 롯데월드 타워를 눕힌 크기의 P1공장에선 D램, 낸드플래시 메모리 반도체를 생산하고 있고, OHT 기계 1850대가 24시간 움직여 웨이퍼를 운반한다.

7일 방문한 삼성전자 평택캠퍼스 P1공장 외관에는 'P1 미래를 심다'라는 문구가 선명하게 적혀있다. 약 87만평(289㎡) 부지에 조성된 조성된 평택캠퍼스는 축구장 25개 크기의 체계 최대 반도체 공장으로, 삼성전자 차세대 반도체의 전초 기지다.

◆경계현 "기술격차 추격, R&D투자로 격차 늘릴것"

평택캠퍼스 입구에 들어서자, 당시 바이든 대통령과 윤석열 대통령이 방문했을 때 서명한 웨이퍼가 가장 잘 보이는 곳에 전시돼 있다. 지난 5월 조 바이든 대통령은 방한 하자마자 삼성전자 평택캠퍼스부터 찾아 공장 곳곳을 둘러봤다.

이곳에서 윤석열 대통령은 바이든 대통령을 맞이하고, 이재용 부회장은 이 둘을 가이드 했다. 그만큼 삼성전자 반도체 기술이 국가 핵심 기술로 부상했다는 것을 입증했던 방문이기도 했다.

평택캠퍼스는 꾸준히 투자를 이어나가고 있다. 2020년말부터 기초공사에 들어간 평택 3라인에는 지난 7월부터 낸드플래시 양산 시설을 구축하고 웨이퍼를 투입하기 시작했다.

삼성전자는 2022년 낸드플래시 시장 점유율 1위 자리에 오른 이후 20년 동안 한 번도 1위 자리에 내주지 않을 만큼 독보적인 경쟁력을 유지해 오고 있다. 하지만 최근 마이크론이나 SK하이닉스 등이 빠르게 기술격차를 좁히며 추격하고 있는 상황이다.

평택캠퍼스에서 기자들은 맞이한 경계현 삼성전자 DS부문장(사장)은 "5~10년 전만 해도 경쟁사들보다 기술 격차가 많았지만, 그 격차가 줄어든 것은 사실"이라며 "R&D(연구개발) 투자를 예전보다 적게 한 것이 큰 영향인 것 같고, R&D 신규 투자 등 개발에 자원을 더 투자해 격차를 늘려나갈 것"이라고 말했다.

이에 삼성전자는 평택 3라인 가동 뿐만 아니라 미래 반도체 수요에 적극적으로 대응하기 위해 4라인 착공을 위한 준비 작업에도 착수한 상황이다. 아직 평택 4라인의 구체적인 착공 시기와 적용 제품이 정해지진 않았지만, 삼성전자는 향후 반도체 시장의 수요 변화에 발빠르게 대응할 수 있도록 기초 공사를 진행하고 있다.

경 사장은 "그동안 삼성의 투자 패턴은 호황기에 투자를 많이 하고 불황기에 투자를 적게하는 경향이 있었지만, 경기 사이클이 빨라지며 불황기에 투자를 적게 하면 호황기에 안좋은 결과를 가져올 수 있다"면서 "꾸준한 투자가 더 맞다는 판단으로 시황과 무관하게 투자를 하려고 하고 있다"고 밝혔다.

◆"삼성 파운드리, 1등 당설 방법 모색中"

삼성전자는 R&D 투자의 결과물로 지난 6월 세계 최초로 GAA(게이트올어라운드) 기술을 적용한 3나노미터(nm) 파운드리 공정의 초도양산에 돌입했다. 삼성전자는 파운드리 후발주자로 파운드리 최강자 TSMC를 꺾겠다는 야심찬 포부를 가지고 기술 투자에 집중하고 있는 상황이다.

경 사장은 "5나노나 4나노는 TSMC 보다 개발 일정과 성능이 뒤쳐졌었지만, 3나노는 우리가 적극적으로 개발해 첫 제품을 만들었고, 3나노 2세대에 대한 고객들의 관심도 많다"면서 "내년말 쯤 되면 파운드리 모습은 지금과 많이 달라져 있을 것"이라고 자신했다.

그는 "파운드리 경쟁에서 투잘르 통해 앞서가겠다는 것은 쉽게 이뤄질 수 없다"면서 "1등을 하기 위해 선단 노드로 이길 수 있고, 경쟁사 주요고객을 삼성 파운드리로 데려오는 방법도 있을텐데, 내용적으로 1등을 달성하기 위해 여러가지 방법을 모색하고 있다"고 강조했다.

abc123@newspim.com