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중국, 연내 DRAM 양산 들어간다 <대만 IT 매체>

  • 기사입력 : 2019년06월13일 14:49
  • 최종수정 : 2019년06월13일 14:52
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[서울=뉴스핌] 정산호 기자 = 중국이 그동안 전량 수입에 의존해 왔던 DRAM 국산화에 성공해 올해부터 양산에 들어갈 예정이라고 중국 IT 전문지 콰이커지(快科技) 가 전했다.

창신춘추 회사 조감도 [사진=바이두]

12일 콰이커지는 대만 매체 디지타임스(Digitimes) 보도를 인용해 창신춘추(長鑫存儲, CXMT)가 연내에 메모리 반도체 양산에 착수할 계획이라며 생산제품은 19nm 공정으로 제작된 8GB LPDDR4가 될 것이라고 전했다. LPDDR4는 국제반도체 표준협의기구(JEDEC)가 발표한 저전력 메모리 표준이다.

창신춘추는 국가 지원을 받아 DRAM 프로젝트를 진행하고 있다. 2017년 10월 안후이(安徽)성 허페이(合肥)시 산하 산업투자그룹과 창신춘추는 파트너십을 맺고 19nm 공정 DRAM 개발에 나섰다. 사업 규모는 180억 위안(약 3조 787억원)으로 알려졌다.

안후이성이 발표한 ‘2019년 성급 중대 프로젝트 계획에 관한 통지’에 따르면 현재 창신춘추는 1단계 12인치 웨이퍼 연구개발 프로젝트를 완료하고 수율 안정화 및 양산 준비 단계에 들어갔다.

회사관계자는 올해 4분기부터 양산에 들어가 매월 약 2만 장의 웨이퍼 생산을 목표로 하고 있으며 최종적으로 생산량을 월 12만 5000장까지 늘릴 계획이라고 전했다. 이를 위해 내년(2020년)에 제2공장이 착공에 들어간다. 기술 개발도 병행해 2021년에는 17nm 공정 생산에 나선다는 계획이다.

시장 관계자들은 창신춘추가 양산에 앞서 미국의 기술검증을 통과할 수 있을지 촉각을 곤두세우고 있다.

창신춘추보다 먼저 DRAM 양산에 들어갈 것으로 기대를 모았던 푸젠진화(福建晉華, JHICC)의 양산계획은 작년 가을 미국 당국이 푸젠진화의 기술 스파이행위가 의심된다며 자국 기업들로 하여금 푸젠진화와의 거래 중단을 명령함에 따라 무산됐다. 회사 또한 경영활동이 중단된 상태다. 창신춘추는 이러한 전철을 밟지 않도록 연구개발 과정에서 지식재산권 부분에 특히 신경을 쓰고 있다고 한다.

주이밍(朱一明) 창신춘추 이사장은 자사 기술력에 자신감을 나타낸 바 있다. 지난 5월 글로벌 반도체연맹(GSA) 포럼에 연사로 나서 회사가 연구 개발에 25억 달러(약 2조9610억원)를 투입해 합법적인 연구개발 시스템과 독자적인 기술체계를 갖췄다고 밝혔다. 이미 1만 6000건의 특허 신청도 진행할 만큼 기술 개발에도 박차를 가하고 있다고 전했다.

중국은 매년 해외로부터 3000억 달러(약 355조)규모의 집적회로(IC)를 수입한다. 이 가운데 3분의 1가량을 메모리 반도체가 차지하고 있다. DRAM과 NAND 메모리는 전부 수입에 의존하고 있는 실정이다. 현재 DRAM 시장은 한국의 삼성전자 및 SK 하이닉스, 미국의 마이크론이 전 세계 시장점유율의 95%를 차지하고 있다.

 chung@newspim.com

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