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홍성주 SK하이닉스 부사장 "EUV 조속히 개발돼야"

반도체 미세공정 물리적 한계...새로운 도전과제 많아

  • 기사입력 : 2017년02월08일 11:16
  • 최종수정 : 2017년02월08일 11:16
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[뉴스핌=황세준 기자] 홍성주 SK하이닉스 부사장(CTO)이 반도체 공정의 극자외선 노광장비(EUV) 필요성에 대해 강조했다.

홍성주 부사장 <사진=SK하이닉스>
홍 부사장은 8일 제30회 세미콘 코리아 개막 기조연설을 통해 "많은 (업계)사람들이 반도체 미세공정이 물리적 한계에 도달하는게 아니냐는 우려를 하고 있다"며 "반도체 업계에는 새로운 도전과제들이 몇개 있는데 우선, EUV가 조속히 개발돼야 한다"고 밝혔다.
 
EUV는 기존과 달리 실리콘 웨이퍼에 반도체 회로를 한번에 그릴 수 있는 장비다. 그는 "EUV가 없으면 훨씬 복잡한 구조의 패턴을 여러번 실리콘 웨이퍼에 그려야 하고 결국 공정 및 경제적으로 어려움을 겪게 된다"고 우려했다.
 
SK하이닉스는 오는 2019년 10나노미터 초반대(1z) 미세공정으로 D램을 양산하면 EUV를 도입한다는 계획을 갖고 있다. 경쟁사인 삼성전자는 2018년초 시스템 반도체를 7나노 공정으로 생산하게 되면 EUV를 사용할 예정이다.
  
홍 부사장은 "EUV는 구현하기 매우 어려운 장비다보니 개발이 지연됐다. 광원 파장이 원체 짧다보니 지금과는 달리 렌즈가 아닌 거울을 사용해야 한다"며 "다행히 재작년과 작년 사이에 업계에 많은 발전이 있었다"고 언급했다.
 
그는 이어 반도체 업계의 화두 중 하나인 3D 낸드플래시의 공정기술 진화 필요성에 대해서도 언급했다. 낸드플래시는 전원을 끊어도 저장된 내용이 보존되는 반도체다. 3D는 반도체 셀을 층층이 쌓아올려 저장용량을 늘리는 기술을 말한다. 현재 64단으로 쌓는 게 최신 기술이다. 
 
홍 부사장은 "층이 많아진 만큼 구멍을 뚫어 셀을 만드는 과정이 어렵다"며 "구멍을 제대로 뚫더라도 스피드가 느리면 경제적으로 큰 문제이기에 빨리 잘 뚫는 기술이 필요하다"고 말했다.
 
이밖에 그는 "RE램 등 기존의 D램과 낸드플래시를 대체하는 새로운 메모리 반도체도 개발해야 한다"고 제언했다.
 
홍 부사장은 "많은 도전과제들이 최종적으로 해결될지 예측하기는 힘들지만 분명한 것은 장비가 지금보다 훨씬 더 공정 친화적으로 개발돼야 한다는 점"이라며 "공정 진행과정에서 발생하는 작은 변화가 디바이스 특성에 많은 영향을 주기에 정밀한 컨트롤 기술이 중요하다"고 강조했다.

 

[뉴스핌 Newspim] 황세준 기자 (hsj@newspim.com)

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